重庆万国造出自研自产 IGBT 元件,预计今年内实现量产

2022-08-12 14:10:36

  集微网消息,据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。,绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT模块是由IGBT与FWD通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。

下一篇:深圳多家银行冻结用户账户?中国银行:应公安部门要求冻结,已解封很多银行卡
上一篇:美元瑞郎忽略期权市场信号,延续自4个月低位反弹突破0.9400
返回顶部小火箭