台湾《经济日报》称，虽然在3nm世代略有保守，但无论如何，鳍片宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生产2nm芯片。根据台积电官网显示，台积电将持续与全球16家EDA厂商组成电子设计自动化联盟，其中就包括全球前5大EDA厂商。美系外资法人指出，台积电在先进制程的EDA软件工具方面与美国厂商关系非常密切，其多数高端设备与IP不仅由美商供应，另外科磊制程监控设备以及ASML的极紫外光EUV光刻机，也很难由日本、欧洲、甚至中国厂商取代。外资法人表示，未来5年至10年，全球先进晶圆制程仍将以美系EDA软件和矽智财IP为核心，设计或制造芯片。尽管EDA工具高度集中在美国企业名下，不过其他大厂在EDA方面并未缺席，例如联发科5月上旬与台大电资学院及至达科技合作，将AI人工智慧技术应用于IC设计，带动EDA智能化发展。鸿海集团也同样正在积极布局半导体芯片设计，旗下工业富联在7月中旬透露他们正布局半导体锁定先进封装、测试、装备及材料、电子设计自动化软件、芯片设计等领域。亚系外资法人指出，2020年全球EDA市场规模约115亿美元，预估今年规模逼近134亿美元，尽管规模不大，却直接关系着全球超过6000亿美元规模的半导体产业、以及全球数十兆美元规模的数字经济发展。对于芯片需求前景，台积电称其2023年的增长将由先进技术支撑，高性能计算将成为长期增长的主要引擎。公司目前预计2023年产能利用率将保持良好。在下一代芯片投产时间点方面，台积电强调3nm芯片将于今年下半年投产，明年上半年贡献营收。提醒，台积电的3nm工艺有众多衍生版本，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E，将会陆续在未来两三年内量产。对于2nm芯片，台积电重申其将于2025年实现量产。2nm芯片是台积电的一个重大节点，该工艺将会采用纳米片晶体管，取代鳍式场效应晶体管，这意味着台积电工艺正式进入GAA晶体管时代。其中，2nm芯片相较于3nm芯片，在相同功耗下，速度快10~15%。在相同速度下，功耗降低25~30%。财报显示，台积电第二季度5nm制程晶圆出货量占据公司营收的21%，7nm制程晶圆出货量占据公司营收的30%，本季度5nm制程工艺营收继续提升，但还未超过7nm制程工艺带来的营收。此外，台积电先进制程营收总占比达到51%，较前季的50%继续扩大。