过去，DRAM是通过将晶体管和电容器排在一个平面上生产的。然而，随着20世纪80年代末DRAM容量超过4兆，提高DRAM的密度变得困难，使得重新排列电路和电容成为必然。当时，DRAM行业分为“沟槽组”和“堆栈组”，前者选择将电路和储存器放在平面下，后者选择将它们堆积在平面上。日本的东芝和NEC以及美国的IBM更倾向于沟槽法，而三星电子则选择堆叠法。当时，三星电子采用堆叠法是因为这是一种更容易制造DRAM和检查生产过程中问题的方法。因此，三星电子可以建立一个半导体帝国，并在大约30年的时间里一直保持其在DRAM市场上的第一地位。在堆叠法变得普遍之后，芯片制造商通过缩小单元尺寸或间距来提高DRAM的性能。然而，在有限的空间内增加单元的数量，他们遇到了物理限制。另一个问题是，如果电容器变得越来越薄，它们可能会坍塌。3DDRAM的概念就是在这种背景下提出的，目前的DRAM可以被称为2DDRAM。据报道，三星电子已经开始开发一种躺着堆叠单元的技术。这是与高带宽内存（HBM）不同的概念，后者是通过将多个模具堆叠在一起产生的。此外，三星电子还在考虑增加DRAM晶体管的栅极（电流门）和通道（电流路径）之间的接触面。这意味着三面接触的FinFet技术和四面接触的Gate-all-around（GAA）技术可以用于DRAM生产。当栅极和通道之间的接触面增加时，晶体管可以更精确地控制电流的流动。了解到，美光科技和SK海力士也在考虑开发3DDRAM。美光提交了一份与三星电子不同的3DDRAM的专利申请。美光公司的方法是在不铺设单元的情况下改变晶体管和电容器的形状。AppliedMaterials和LamResearch等全球半导体设备制造商也开始开发与3DDRAM有关的解决方案。然而，由于开发新材料的困难和物理限制，3DDRAM的商业化还需要一些时间。业内人士预测，3DDRAM将在2025年左右问世。