感谢网友根据SK海力士制定的UFS4.0内存开发计划，其将在UFS4.0闪存上主要搭载V7和V8NAND，其中V8是SK海力士开发的世界上首个238层NAND闪存，与176层NAND相比能源消耗减少了21%。其采用了4D封装技术，与3D封装相比，前者在减少单位单元面积的同时，生产效率也更高。THELEC还透露了SK海力士正在开发的UFS4.0闪存的数据处理速度：连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s。外形规格为11×13×0.8mm。仅从速度来看，现在曝光的速度可能只搭载了V7NAND。作为对比，三星在5月4日首发的UFS4.0的闪存采用的是176层NAND，连续读取4200MB/s，连续写入2800MB/s，外形规格为11×13×1mm。此前有消息称SK海力士238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，现在来看还未应用到UFS4.0中。▲SK海力士开发的238层512GBTLC4DNAND闪存了解到，据THELEC称，目前，SK海力士已经向主要客户公司供应了238层NAND样品，计划明年上半年量产，因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存也有望最早从明年上半年开始批量生产。UFS4.0闪存是是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍，带宽越大，数据处理速度就越快。