在TGBT产品领域，公司加强对自有知识产权技术Tri-gateIGBT技术研发力度，产品顺利通过多个客户验证并被批量使用，迅速实现了高性能 IGBT 产品的国产化替代。公司第二代Tri-gateIGBT技术开发成功，产品性能进一步提升。同时，公司积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步推进。